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扬杰科技申请一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法专利,...金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410554028.3,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体好了吧！

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扬杰科技申请集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET及制备方法专利,提高...金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET及制备方法“公开号CN202410623588.X,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET及制备方法，涉及半导体是什么。

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扬杰科技取得提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架专利,覆盖...金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架“授权公告号CN221176214U,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架。涉及半导体技术领是什么。

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扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利,...金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410623585.6,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法，涉及半导还有呢？

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扬杰科技申请一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利,通过...金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法“公开号CN202410623579.0,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域还有呢？

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扬杰科技申请二极管叠片及其制备方法专利,有利于提高双向旁路保护...金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种二极管叠片及其制备方法“公开号CN202410623605.X,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种二极管叠片及其制备方法，涉及半导体技术领域。采用芯片叠片的方式替代传统到此结束了？。

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扬杰科技申请一种提高HV-H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法专利,...金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高HV-H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法”，公开号CN202410623582.2,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种提高HV‑H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法，涉及半好了吧！

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扬杰科技申请一种沟槽型SiCMOSFET及其制备方法专利,降低SiC ...金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种沟槽型SiCMOSFET及其制备方法“公开号CN202410623578.6,申请日期为2024年5月20日。专利摘要显示，一种高栅氧可靠性和低栅极电容的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法等我继续说。

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扬杰科技申请降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法专利...金融界2024年6月14日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法“公开号CN202410623584.1,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方是什么。

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扬杰科技申请提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法专利,...金融界2024年6月14日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法“公开号CN202410623600.7,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法，涉及半导体技术后面会介绍。

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